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Integrated Device Technology (IDT) 70V9279L7PRFGI8

Name: 70V9279L7PRFGI8
Brand: Integrated Device Technology (IDT)
SKU: 1179-70V9279L7PRFGI8
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

70V9279L7PRFGI8

品牌

Integrated Device Technology (IDT)

utmel 编号

1179-70V9279L7PRFGI8

商品类别

存储器

封装

LQFP

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SRAM Chip Sync Dual 3.3V 512K-Bit 32K x 16 18ns/7.5ns 128-Pin TQFP T/R

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70V9279L7PRFGI8 Integrated Device Technology (IDT) SRAM Chip Sync Dual 3.3V 512K-Bit 32K x 16 18ns/7.5ns 128-Pin TQFP T/R

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70V9279L7PRFGI8详情

技术参数

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Integrated Device Technology (IDT) 70V9279L7PRFGI8重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

7 Weeks
包装/外壳

LQFP
表面安装

YES
引脚数

128
Memory Types

RAM, SRAM
包装

Tape & Reel
已出版

2008
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)
终止次数

128
端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed
最高工作温度

85°C
最小工作温度

-40°C
端子位置

QUAD
终端形式

鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）

260
电源电压

3.3V
端子间距

0.5mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)

30
引脚数量

128
工作电源电压

3.3V
温度等级

INDUSTRIAL
界面

Parallel
端口的数量

2
时钟频率

83MHz
电源电流-最大值

0.335mA
输出特性

3-STATE
地址总线宽度

15b
密度

512 kb
待机电流-最大值

0.015A
访问时间（最大）

7.5 ns
I/O类型

COMMON
待机电压-最小值

3V
长度

20mm
宽度

14mm
器件厚度

1.4mm
辐射硬化

无
RoHS状态

符合RoHS标准
无铅

无铅

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70V9279L7PRFGI8拓展信息

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