Integrated Device Technology (IDT) 71256SA12Y
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71256SA12Y
1179-71256SA12Y
集成电路(IC)
28-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)
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SRAM ASYNC SGL 5V 256KBIT 32KX8 12NS 28PIN SOJ - Bulk (Alt: 71256SA12Y)
--最小包装量--
71256SA12Y详情
Integrated Device Technology (IDT) 71256SA12Y重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
安装类型
表面贴装
包装/外壳
28-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)
供应商器件包装
28-SOJ
终端数量
28
Manufacturer Part Number
71256SA12Y
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Part Package Code
SOJ
Package Description
0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
Risk Rank
5.69
Access Time-Max
12 ns
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Number of Words
32768 words
Number of Words Code
32000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
SOJ
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Reflow Temperature-Max (s)
30
Package
Bulk
Base Product Number
71256SA
厂商
IDT, Integrated Device Technology Inc
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
系列
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
端子位置
DUAL
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
28
JESD-30代码
R-PDSO-J28
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
内存大小
256Kbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
12 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
32KX8
座位高度-最大
3.556 mm
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
12ns
记忆密度
262144 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
组织的记忆
32K x 8
长度
17.9324 mm
宽度
7.5184 mm
71256SA12Y拓展信息
Integrated Device Technology (IDT)
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