Integrated Device Technology (IDT) 71256SA15Y8
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71256SA15Y8
1179-71256SA15Y8
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Standard SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
1最小包装量--
71256SA15Y8详情
Integrated Device Technology (IDT) 71256SA15Y8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
28
Package Description
0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
Package Style
小概要
Number of Words Code
32000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
SOJ28,.34
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
15 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
71256SA15Y8
Number of Words
32768 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
SOJ
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Integrated Device Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.28
Part Package Code
SOJ
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
28
JESD-30代码
R-PDSO-J28
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.15 mA
组织结构
32KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
3.556 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.015 A
记忆密度
262144 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
4.5 V
宽度
7.5184 mm
长度
17.9324 mm
71256SA15Y8拓展信息
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