'7130la35tf'
6结果- 所有品牌
对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 引脚数 | Current - Supply (Nom) | 操作温度 | 包装 | 已出版 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 功能数量 | 端子间距 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 电源 | 温度等级 | 界面 | 内存大小 | 端口的数量 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 组织结构 | 输出特性 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 密度 | 待机电流-最大值 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 待机电压-最小值 | 电压 - 供电 (最大值) | 电压 - 供电 (最小值) | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 器件厚度 | 辐射硬化 | RoHS状态 | 无铅 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 7130LA35TF | Integrated Device Technology (IDT) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | TQFP | 64 | 120mA | RAM, SDR, SRAM | 2013 | 活跃 | 70°C | 0°C | 5V | Parallel | 1kB | 2 | 35 ns | 20b | 8 kb | Asynchronous | 8b | 5.5V | 4.5V | 10mm | 10mm | 1.4mm | 无 | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 7130LA35TF | Renesas Electronics America Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 64-LQFP | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | Obsolete | 3 (168 Hours) | 4.5V~5.5V | IDT7130 | 8Kb 1K x 8 | SRAM | Parallel | 35ns | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 7130LA35TFG | Renesas Electronics America Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 64-LQFP | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 4.5V~5.5V | IDT7130 | 8Kb 1K x 8 | SRAM | Parallel | 35ns | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 7130LA35TFG | Integrated Device Technology (IDT) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 7 Weeks | LQFP | RAM, SRAM | 2016 | 70°C | 0°C | Parallel | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 7130LA35TF8 | Integrated Device Technology (IDT) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | LQFP | 64 | 120mA | RAM, SDR, SRAM | 2013 | e0 | no | 活跃 | 3 (168 Hours) | 64 | EAR99 | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 70°C | 0°C | 5V | QUAD | 鸥翼 | 240 | 1 | 0.5mm | 20 | 5V | COMMERCIAL | Parallel | 1kB | 2 | 35 ns | 1KX8 | 3-STATE | 20b | 8 kb | 0.0015A | COMMON | Asynchronous | 8b | 2V | 5.5V | 4.5V | 1.6mm | 10mm | 10mm | 1.4mm | 无 | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||
![]() | 7130LA35TF8 | Renesas Electronics America Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 64-LQFP | Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | 3 (168 Hours) | 4.5V~5.5V | IDT7130 | 8Kb 1K x 8 | SRAM | Parallel | 35ns | Non-RoHS Compliant |
7130LA35TF
Integrated Device Technology (IDT)
分类:Memory
7130LA35TF
Renesas Electronics America Inc.
分类:Memory
7130LA35TFG
Renesas Electronics America Inc.
分类:Memory
7130LA35TFG
Integrated Device Technology (IDT)
分类:Memory
7130LA35TF8
Integrated Device Technology (IDT)
分类:Memory
7130LA35TF8
Renesas Electronics America Inc.
分类:Memory


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