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'7164l70tdb'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

操作温度

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

电源电压

端子间距

引脚数量

工作电源电压

电源

温度等级

界面

最大电源电压

最小电源电压

内存大小

端口的数量

访问时间

内存格式

内存接口

组织结构

输出特性

写入周期时间 - 字符、页面

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

筛选水平

I/O类型

待机电压-最小值

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

7164L70TDB
7164L70TDB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

45 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

CDIP

NO

28

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

Military grade

2007

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

28

Tin/Lead (Sn/Pb)

125°C

-55°C

DUAL

THROUGH-HOLE

240

1

5V

2.54mm

28

5V

5V

MILITARY

Parallel

5.5V

4.5V

8kB

1

70 ns

8KX8

3-STATE

13b

64 kb

0.0002A

MIL-STD-883 Class B

COMMON

2V

37.72mm

7.62mm

3.56mm

符合RoHS标准

含铅

7164L70TDB
7164L70TDB
Renesas Electronics America Inc. 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

15 Weeks

通孔

28-CDIP (0.300, 7.62mm)

Volatile

-55°C~125°C TA

Tube

活跃

1 (Unlimited)

4.5V~5.5V

64Kb 8K x 8

SRAM

Parallel

70ns

Non-RoHS Compliant