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Integrated Device Technology (IDT) 71V3559S85BQG8

Name: 71V3559S85BQG8
Brand: Integrated Device Technology (IDT)
SKU: 1179-71V3559S85BQG8
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

71V3559S85BQG8

品牌

Integrated Device Technology (IDT)

utmel 编号

1179-71V3559S85BQG8

商品类别

存储器

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SRAM Chip Sync Single 3.3V 4.5M-Bit 256K x 18 8.5ns 165-Pin CABGA T/R

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71V3559S85BQG8 Integrated Device Technology (IDT) SRAM Chip Sync Single 3.3V 4.5M-Bit 256K x 18 8.5ns 165-Pin CABGA T/R

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71V3559S85BQG8详情

技术参数

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Integrated Device Technology (IDT) 71V3559S85BQG8重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

11 Weeks
底架

表面贴装
引脚数

165
Memory Types

RAM, SRAM
包装

Tape & Reel
已出版

2009
JESD-609代码

e1
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)
终止次数

165
端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最高工作温度

70°C
最小工作温度

0°C
端子位置

BOTTOM
终端形式

BALL
峰值回流焊温度（摄氏度）

260
功能数量

1
电源电压

3.3V
频率

91MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)

30
引脚数量

165
工作电源电压

3.3V
温度等级

COMMERCIAL
界面

Parallel
最大电源电压

3.465V
最小电源电压

3.135V
端口的数量

1
电源电流

225mA
访问时间

8.5 ns
输出特性

3-STATE
地址总线宽度

18b
密度

4.5 Mb
待机电流-最大值

0.04A
I/O类型

COMMON
同步/异步

Synchronous
字长

18b
长度

15mm
宽度

13mm
器件厚度

1.2mm
辐射硬化

无
RoHS状态

符合RoHS标准
无铅

无铅

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技术文档: Integrated Device Technology (IDT) 71V3559S85BQG8.

数据表 :
71v3559s85bqg8-P03NUskC-NjvPMarrq.pdf

71V3559S85BQG8拓展信息

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