71V416L12BEG
71V416L12BEG

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

价格梯度

内地含税价

  • 1

    ¥55.258352

  • 10

    ¥52.130523

  • 100

    ¥49.179736

  • 500

    ¥46.395979

  • 1000

    ¥43.769795

Integrated Device Technology (IDT) 71V416L12BEG

  • 收藏
  • 对比

型号

71V416L12BEG

utmel 编号

1179-71V416L12BEG

商品类别

无类别的

封装

TFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 12ns 48-Pin CABGA Tube/Tray

起订量

--最小包装量--

单价:

总价:

添加到询价列表
71V416L12BEG
71V416L12BEG Integrated Device Technology (IDT) SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 12ns 48-Pin CABGA Tube/Tray

单价: $

合计:

库存:49

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

71V416L12BEG详情

Integrated Device Technology (IDT) 71V416L12BEG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 包装/外壳

    TFBGA

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    48

  • Memory Types

    RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

  • 已出版

    2012

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    48

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 最高工作温度

    70°C

  • 最小工作温度

    0°C

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    3.3V

  • 端子间距

    0.75mm

  • 引脚数量

    48

  • 工作电源电压

    3.3V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 界面

    Parallel

  • 最大电源电压

    3.6V

  • 最小电源电压

    3V

  • 内存大小

    512kB

  • 端口的数量

    1

  • 访问时间

    12 ns

  • 输出特性

    3-STATE

  • 地址总线宽度

    18b

  • 密度

    4 Mb

  • I/O类型

    COMMON

  • 待机电压-最小值

    3V

  • 长度

    9mm

  • 宽度

    9mm

  • 器件厚度

    1.2mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: Integrated Device Technology (IDT) 71V416L12BEG.

右边的3个型号有着和Integrated Device Technology (IDT) & 71V416L12BEG相似的参数规格。

查看更多

71V416L12BEG拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS