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Integrated Device Technology (IDT) 71V416L12BEGI8

Name: 71V416L12BEGI8
Brand: Integrated Device Technology (IDT)
SKU: 1179-71V416L12BEGI8
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

71V416L12BEGI8

品牌

Integrated Device Technology (IDT)

utmel 编号

1179-71V416L12BEGI8

商品类别

无类别的

封装

TFBGA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 12ns 48-Pin CABGA T/R

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71V416L12BEGI8 Integrated Device Technology (IDT) SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 12ns 48-Pin CABGA T/R

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71V416L12BEGI8详情

技术参数

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Integrated Device Technology (IDT) 71V416L12BEGI8重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

12 Weeks
底架

表面贴装
包装/外壳

TFBGA
引脚数

48
Memory Types

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
已出版

2005
JESD-609代码

e1
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)
终止次数

48
端子表面处理

锡银铜
最高工作温度

85°C
最小工作温度

-40°C
端子位置

BOTTOM
终端形式

BALL
峰值回流焊温度（摄氏度）

260
功能数量

1
电源电压

3.3V
端子间距

0.75mm
引脚数量

48
工作电源电压

3.3V
温度等级

INDUSTRIAL
界面

Parallel
最大电源电压

3.6V
最小电源电压

3V
内存大小

512kB
端口的数量

1
电源电流

170mA
访问时间

12 ns
输出特性

3-STATE
地址总线宽度

18b
密度

4 Mb
I/O类型

COMMON
同步/异步

Asynchronous
字长

16b
待机电压-最小值

3V
长度

9mm
宽度

9mm
器件厚度

1.2mm
辐射硬化

无
RoHS状态

符合RoHS标准
无铅

无铅

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技术文档: Integrated Device Technology (IDT) 71V416L12BEGI8.

数据表 :
71V416L12BEGI8-Integrated-Device-Technology-datasheet-11745483.pdf 71v416l12begi8-P03NUskC-2jwa313lq.pdf

71V416L12BEGI8拓展信息

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