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Integrated Device Technology (IDT) 71V65703S80BG8

Name: 71V65703S80BG8
Brand: Integrated Device Technology (IDT)
SKU: 1179-71V65703S80BG8
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

71V65703S80BG8

品牌

Integrated Device Technology (IDT)

utmel 编号

1179-71V65703S80BG8

商品类别

无类别的

封装

BGA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-Bit 256K x 36 8ns 119-Pin BGA T/R

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71V65703S80BG8 Integrated Device Technology (IDT) SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-Bit 256K x 36 8ns 119-Pin BGA T/R

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技术参数

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型号对比

Integrated Device Technology (IDT) 71V65703S80BG8重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

8 Weeks
底架

表面贴装
包装/外壳

BGA
引脚数

119
Memory Types

RAM, SDR, SRAM
包装

Tape & Reel
已出版

2009
JESD-609代码

e0
无铅代码

no
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)
终止次数

119
端子表面处理

Tin/Lead (Sn63Pb37)
最高工作温度

70°C
最小工作温度

0°C
附加功能

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
端子位置

BOTTOM
终端形式

BALL
峰值回流焊温度（摄氏度）

225
功能数量

1
电源电压

3.3V
频率

95MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)

20
引脚数量

119
工作电源电压

3.3V
温度等级

COMMERCIAL
界面

Parallel
最大电源电压

3.465V
最小电源电压

3.135V
内存大小

1.1MB
端口的数量

1
电源电流

250mA
访问时间

8 ns
组织结构

256KX36
输出特性

3-STATE
地址总线宽度

18b
密度

9 Mb
待机电流-最大值

0.04A
I/O类型

COMMON
同步/异步

Synchronous
字长

36b
长度

14mm
座位高度(最大)

2.36mm
宽度

22mm
器件厚度

2.15mm
辐射硬化

无
RoHS状态

符合RoHS标准
无铅

含铅

0个相似型号

技术文档: Integrated Device Technology (IDT) 71V65703S80BG8.

数据表 :
71V65703S80BG8-Integrated-Device-Technology-datasheet-8364712.pdf 71v65703s80bg8-4ohwTNXY-Eqm7Gk5Nj.pdf

71V65703S80BG8拓展信息

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