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Integrated Device Technology (IDT) 71V65703S80PFGI8

Name: 71V65703S80PFGI8
Brand: Integrated Device Technology (IDT)
SKU: 1179-71V65703S80PFGI8
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

71V65703S80PFGI8

品牌

Integrated Device Technology (IDT)

utmel 编号

1179-71V65703S80PFGI8

商品类别

存储器

封装

TQFP

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-Bit 256K x 36 8ns 100-Pin TQFP T/R

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71V65703S80PFGI8 Integrated Device Technology (IDT) SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-Bit 256K x 36 8ns 100-Pin TQFP T/R

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技术参数

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型号对比

Integrated Device Technology (IDT) 71V65703S80PFGI8重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

8 Weeks
底架

表面贴装
包装/外壳

TQFP
引脚数

100
Memory Types

RAM, SRAM
包装

Tape & Reel
已出版

2009
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)
终止次数

100
端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed
最高工作温度

85°C
最小工作温度

-40°C
附加功能

FLOW-THROUGH
端子位置

QUAD
终端形式

鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）

260
功能数量

1
电源电压

3.3V
频率

95MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)

30
引脚数量

100
工作电源电压

3.3V
温度等级

INDUSTRIAL
界面

Parallel
最大电源电压

3.465V
最小电源电压

3.135V
端口的数量

1
电源电流

60mA
访问时间

8 ns
组织结构

256KX36
地址总线宽度

18b
密度

9 Mb
同步/异步

Synchronous
字长

36b
长度

20mm
宽度

14mm
器件厚度

1.4mm
辐射硬化

无
RoHS状态

符合RoHS标准
无铅

无铅

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技术文档: Integrated Device Technology (IDT) 71V65703S80PFGI8.

数据表 :
71V65703S80PFGI8-Integrated-Device-Technology-datasheet-8364712.pdf 71v65703s80pfgi8-4VpLe8UY-bqVX0aOBj.pdf

71V65703S80PFGI8拓展信息

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