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Integrated Device Technology (IDT) 71V65703S85BQI

Name: 71V65703S85BQI
Brand: Integrated Device Technology (IDT)
SKU: 1179-71V65703S85BQI
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

71V65703S85BQI

品牌

Integrated Device Technology (IDT)

utmel 编号

1179-71V65703S85BQI

商品类别

存储器

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-Bit 256K x 36 8.5ns 165-Pin CABGA

起订量

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71V65703S85BQI Integrated Device Technology (IDT) SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-Bit 256K x 36 8.5ns 165-Pin CABGA

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71V65703S85BQI详情

技术参数

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Integrated Device Technology (IDT) 71V65703S85BQI重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

7 Weeks
底架

表面贴装
引脚数

165
Memory Types

RAM, SDR, SRAM
已出版

2009
JESD-609代码

e0
无铅代码

no
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)
终止次数

165
端子表面处理

Tin/Lead (Sn63Pb37)
最高工作温度

85°C
最小工作温度

-40°C
附加功能

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
端子位置

BOTTOM
终端形式

BALL
峰值回流焊温度（摄氏度）

225
功能数量

1
电源电压

3.3V
频率

91MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)

20
引脚数量

165
工作电源电压

3.3V
温度等级

INDUSTRIAL
界面

Parallel
最大电源电压

3.465V
最小电源电压

3.135V
内存大小

1.1MB
端口的数量

1
电源电流

60mA
访问时间

8.5 ns
组织结构

256KX36
输出特性

3-STATE
地址总线宽度

18b
密度

9 Mb
待机电流-最大值

0.06A
I/O类型

COMMON
同步/异步

Synchronous
字长

36b
长度

15mm
宽度

13mm
器件厚度

1.2mm
辐射硬化

无
RoHS状态

符合RoHS标准
无铅

含铅

0个相似型号

技术文档: Integrated Device Technology (IDT) 71V65703S85BQI.

数据表 :
71v65703s85bqi-4ohwTNXY-Eqm7Gk5Nj.pdf

71V65703S85BQI拓展信息

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