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Integrated Device Technology (IDT) 830S21AMI-01LFT

Name: 830S21AMI-01LFT
Brand: Integrated Device Technology (IDT)
SKU: 1179-830S21AMI-01LFT
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

830S21AMI-01LFT

品牌

Integrated Device Technology (IDT)

utmel 编号

1179-830S21AMI-01LFT

商品类别

无类别的

封装

SOIC

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

1-to-1,2.5V,3.3V Differential-to-LVCMOS/LVTTL Translator

起订量

--最小包装量--

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830S21AMI-01LFT Integrated Device Technology (IDT) 1-to-1,2.5V,3.3V Differential-to-LVCMOS/LVTTL Translator

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830S21AMI-01LFT详情

技术参数

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Integrated Device Technology (IDT) 830S21AMI-01LFT重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

10 Weeks
触点镀层

Tin
底架

表面贴装
包装/外壳

SOIC
引脚数

8
质量

540.001716mg
已出版

2007
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

8
ECCN 代码

EAR99
最高工作温度

85°C
最小工作温度

-40°C
附加功能

IT ALSO OPERATES AT 3.3 V
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）

260
功能数量

1
电源电压

2.5V
时间@峰值回流温度-最大值(s)

30
引脚数量

8
资历状况

不合格
电源

2.5/3.3V
温度等级

INDUSTRIAL
电路数量

1
最大电源电压

3.465V
最小电源电压

2.375V
比特数

1
输出特性

3-STATE
输出极性

TRUE
接口IC类型

LVCMOS/LVTTL TO LVHSTL TRANSLATOR
信道型

单向
输出锁存器或寄存器

NONE
延迟-最大

2 ns
长度

4.9mm
宽度

3.9mm
器件厚度

1.5mm
RoHS状态

符合RoHS标准
无铅

无铅

0个相似型号

技术文档: Integrated Device Technology (IDT) 830S21AMI-01LFT.

数据表 :
830s21ami-01lft-gXFvdUk6-kjavKvKwZ.pdf 830S21AMI-01LFT-Integrated-Device-Technology-datasheet-17899384.pdf

830S21AMI-01LFT拓展信息

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