F1152NBGI8
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Integrated Device Technology (IDT) F1152NBGI8

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型号

F1152NBGI8

utmel 编号

1179-F1152NBGI8

商品类别

射频接收器

封装

QFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Up/Down Conv Mixer 2.2GHz 36-Pin QFN EP T/R

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F1152NBGI8
F1152NBGI8 Integrated Device Technology (IDT) Up/Down Conv Mixer 2.2GHz 36-Pin QFN EP T/R

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F1152NBGI8详情

Integrated Device Technology (IDT) F1152NBGI8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • 包装/外壳

    QFN

  • 引脚数

    36

  • Power Dissipation (Max)

    2.2W

  • Operating Temperature (Min.)

    -40°C

  • Operating Temperature (Max.)

    100°C

  • 已出版

    2012

  • 包装

    Tape & Reel

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    36

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • HTS代码

    8542.39.00.01

  • 端子位置

    QUAD

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    5V

  • 端子间距

    0.5mm

  • 频率

    2.2GHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 引脚数量

    36

  • 工作电源电压

    5.25V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 工作电源电流

    327mA

  • 增益

    8.5 dB

  • 通信IC类型

    电信电路

  • 噪声图

    10 dB

  • 宽度

    6mm

  • 座位高度(最大)

    0.8mm

  • 长度

    6mm

  • 器件厚度

    800μm

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 辐射硬化

  • 无铅

    无铅

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技术文档: Integrated Device Technology (IDT) F1152NBGI8.

F1152NBGI8拓展信息

F1162ANBGI8
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Integrated Device Technology (IDT)

F1162NBGI8
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Integrated Device Technology (IDT)

F1178NBGI
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Integrated Device Technology (IDT)

F1763NBGI8
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F1102NBGI8
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