Integrated Device Technology (IDT) IDT6116SA25Y8
- 收藏
- 对比
IDT6116SA25Y8
1179-IDT6116SA25Y8
集成电路(IC)
--
大陆
立即发货

INSTOCK
1最小包装量--
IDT6116SA25Y8详情
Integrated Device Technology (IDT) IDT6116SA25Y8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
24
Manufacturer Part Number
IDT6116SA25Y8
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Part Package Code
SOJ
Package Description
0.300 INCH, SOJ-24
Risk Rank
5.72
Access Time-Max
25 ns
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words
2048 words
Number of Words Code
2000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
SOJ
Package Equivalence Code
SOJ24,.34
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Reflow Temperature-Max (s)
30
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn85Pb15)
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
DUAL
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
24
JESD-30代码
R-PDSO-J24
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.12 mA
组织结构
2KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
3.76 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.002 A
记忆密度
16384 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
4.5 V
输出启用
YES
长度
15.88 mm
宽度
7.62 mm
IDT6116SA25Y8拓展信息
Integrated Device Technology (IDT)
Integrated Device Technology (IDT)
Integrated Device Technology (IDT)
Integrated Device Technology (IDT)
Integrated Device Technology (IDT)
Integrated Device Technology (IDT)
Integrated Device Technology (IDT)
Integrated Device Technology (IDT)
Integrated Device Technology (IDT)
Integrated Device Technology (IDT)







哦! 它是空的。