Integrated Device Technology (IDT) IDT71982L70LBG8
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IDT71982L70LBG8
1179-IDT71982L70LBG8
集成电路(IC)
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QCCN,
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IDT71982L70LBG8详情
Integrated Device Technology (IDT) IDT71982L70LBG8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
28
Manufacturer Part Number
IDT71982L70LBG8
Package Style
CHIP CARRIER
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
QCCN
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Operating Temperature-Min
-55 °C
Operating Temperature-Max
125 °C
Number of Words Code
16000
Number of Words
16384 words
Access Time-Max
70 ns
Risk Rank
5.83
Package Description
QCCN,
Part Package Code
QLCC
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Part Life Cycle Code
Obsolete
Rohs Code
有
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Reflow Temperature-Max (s)
30
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
3A001.A.2.C
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
QUAD
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
28
JESD-30代码
R-CQCC-N28
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
16KX4
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
3.048 mm
内存宽度
4
记忆密度
65536 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
2 V
输出启用
YES
长度
13.97 mm
宽度
8.89 mm
IDT71982L70LBG8拓展信息
Integrated Device Technology (IDT)
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