Integrated Device Technology (IDT) IDT71P73604S200BQ8

表面安装

YES

引脚数

165

Memory Types

DDR2, RAM, SRAM

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e0

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

165

端子表面处理

Tin/Lead (Sn63Pb37)

最高工作温度

70°C

最小工作温度

0°C

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

端子间距

1mm

Reach合规守则

not_compliant

频率

200MHz

资历状况

不合格

电源

1.5/1.81.8V

界面

Parallel

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.7mA

组织结构

512KX36

输出特性

3-STATE

内存宽度

36

待机电流-最大值

0.3A

记忆密度

18874368 bit

访问时间（最大）

0.45 ns

I/O类型

COMMON

待机电压-最小值

1.7V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant