Integrated Device Technology (IDT) IDT71V124SA10PH8

表面安装

YES

包装/外壳

SOIC

Memory Types

RAM, SRAM - Asynchronous

已出版

2007

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

32

ECCN 代码

3A991.B.2.B

端子表面处理

Tin/Lead (Sn85Pb15)

最高工作温度

70°C

最小工作温度

0°C

HTS代码

8542.32.00.41

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

功能数量

1

电源电压

3.3V

端子间距

1.27mm

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

32

JESD-30代码

R-PDSO-G32

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.6V

电源

3.3V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3.15V

界面

Parallel

电源电流-最大值

0.145mA

组织结构

128KX8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.01A

记忆密度

1048576 bit

访问时间（最大）

10 ns

I/O类型

COMMON

待机电压-最小值

3.15V

宽度

10.16mm

座位高度(最大)

1.2mm

长度

20.95mm

RoHS状态

Non-RoHS Compliant