Integrated Device Technology (IDT) IDT71V416S10BEG
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IDT71V416S10BEG
1179-IDT71V416S10BEG
存储器
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Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48
1最小包装量--
IDT71V416S10BEG详情
Integrated Device Technology (IDT) IDT71V416S10BEG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
48
Package Description
BGA, BGA48,6X8,30
Package Style
网格排列
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
256000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA48,6X8,30
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
10 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
IDT71V416S10BEG
Number of Words
262144 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
BGA
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
Integrated Device Technology Inc
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.23
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.75 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
48
JESD-30代码
S-PBGA-B48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.2 mA
组织结构
256KX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.02 A
记忆密度
4194304 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
3 V
宽度
9 mm
长度
9 mm
IDT71V416S10BEG拓展信息
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