IDT71V416S10BEG
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Integrated Device Technology (IDT) IDT71V416S10BEG

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型号

IDT71V416S10BEG

utmel 编号

1179-IDT71V416S10BEG

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48

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IDT71V416S10BEG Integrated Device Technology (IDT) Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48

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IDT71V416S10BEG详情

Integrated Device Technology (IDT) IDT71V416S10BEG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    48

  • Package Description

    BGA, BGA48,6X8,30

  • Package Style

    网格排列

  • Moisture Sensitivity Levels

    3

  • Number of Words Code

    256000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Equivalence Code

    BGA48,6X8,30

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Access Time-Max

    10 ns

  • Operating Temperature-Max

    70 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    IDT71V416S10BEG

  • Number of Words

    262144 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    3.3 V

  • Package Code

    BGA

  • Package Shape

    SQUARE

  • Manufacturer

    Integrated Device Technology Inc

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

  • Risk Rank

    5.23

  • Part Package Code

    BGA

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    3A991.B.2.A

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 子类别

    SRAMs

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.75 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    48

  • JESD-30代码

    S-PBGA-B48

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.6 V

  • 电源

    3.3 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    3 V

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.2 mA

  • 组织结构

    256KX16

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    16

  • 待机电流-最大值

    0.02 A

  • 记忆密度

    4194304 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    标准SRAM

  • 待机电压-最小值

    3 V

  • 宽度

    9 mm

  • 长度

    9 mm

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IDT71V416S10BEG拓展信息

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