Integrated Device Technology Inc IDT70T3519S133BCG
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IDT70T3519S133BCG
1179-IDT70T3519S133BCG
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Dual-Port SRAM, 256KX36, 15ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-256
1最小包装量--
IDT70T3519S133BCG详情
Integrated Device Technology Inc IDT70T3519S133BCG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
256
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Part Package Code
BGA
Package Description
LBGA, BGA256,16X16,40
Access Time-Max
15 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
133 MHz
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words
262144 words
Number of Words Code
256000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
LBGA
Package Equivalence Code
BGA256,16X16,40
Package Shape
SQUARE
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
256
JESD-30代码
S-PBGA-B256
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.6 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.4 V
端口的数量
2
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.37 mA
组织结构
256KX36
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.7 mm
内存宽度
36
待机电流-最大值
0.015 A
记忆密度
9437184 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
MULTI-PORT SRAM
待机电压-最小值
2.4 V
长度
17 mm
宽度
17 mm
IDT70T3519S133BCG拓展信息
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