Integrated Device Technology Inc IDT70V3319S133PRFGI
- 收藏
- 对比
IDT70V3319S133PRFGI
1179-IDT70V3319S133PRFGI
存储器
--
大陆
立即发货

Description: Dual-Port SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM X 1.4 MM, GREEN, PLASTIC, TQFP-128
1最小包装量--
IDT70V3319S133PRFGI详情
Integrated Device Technology Inc IDT70V3319S133PRFGI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
128
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Style
FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
Package Shape
RECTANGULAR
Package Equivalence Code
QFP128,.63X.87
Package Code
LFQFP
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Operating Temperature-Max
85 °C
Number of Words Code
256000
Number of Words
262144 words
Clock Frequency-Max (fCLK)
133 MHz
Access Time-Max
4.2 ns
Package Description
LFQFP, QFP128,.63X.87
Part Package Code
QFP
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Part Life Cycle Code
Transferred
Rohs Code
有
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
附加功能
FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
QUAD
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
128
JESD-30代码
R-PQFP-G128
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.45 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3.15 V
端口的数量
2
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.4 mA
组织结构
256KX18
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.6 mm
内存宽度
18
待机电流-最大值
0.04 A
记忆密度
4718592 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
MULTI-PORT SRAM
待机电压-最小值
3.15 V
饱和电流
3
宽度
14 mm
长度
20 mm
IDT70V3319S133PRFGI拓展信息
IDT
IDT
IDT
IDT
IDT
IDT
IDT
IDT
IDT
IDT







哦! 它是空的。