IDT71C65S45TC
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Integrated Device Technology Inc IDT71C65S45TC

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型号

IDT71C65S45TC

utmel 编号

1179-IDT71C65S45TC

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28

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IDT71C65S45TC Integrated Device Technology Inc Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28

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IDT71C65S45TC详情

Integrated Device Technology Inc IDT71C65S45TC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    28

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

  • Part Package Code

    DIP

  • Package Description

    0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28

  • Access Time-Max

    45 ns

  • Number of Words

    8192 words

  • Number of Words Code

    8000

  • Operating Temperature-Max

    70 °C

  • Package Body Material

    CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • Package Code

    DIP

  • Package Equivalence Code

    DIP28,.3

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    IN-LINE

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    5 V

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铅

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    2.54 mm

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    28

  • JESD-30代码

    R-CDIP-T28

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    5.5 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    4.5 V

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.16 mA

  • 组织结构

    8KX8

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    5.08 mm

  • 内存宽度

    8

  • 待机电流-最大值

    0.015 A

  • 记忆密度

    65536 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    标准SRAM

  • 待机电压-最小值

    4.5 V

  • 输出启用

    YES

  • 长度

    35.56 mm

  • 宽度

    7.62 mm

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IDT71C65S45TC拓展信息

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