Integrated Device Technology Inc IDT7M912S100CB
- 收藏
- 对比
IDT7M912S100CB
1179-IDT7M912S100CB
存储器
--
大陆
立即发货

SRAM Module, 64KX9, 100ns, CMOS, CDIP40
1最小包装量--
IDT7M912S100CB详情
Integrated Device Technology Inc IDT7M912S100CB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
40
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Access Time-Max
100 ns
Number of Words
65536 words
Number of Words Code
64000
Operating Temperature-Max
125 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
CERAMIC
Package Code
DIP
Package Equivalence Code
DIP40,.6
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
3A001.A.2.C
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
R-XDIP-T40
资历状况
不合格
温度等级
MILITARY
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
1.08 mA
组织结构
64KX9
输出特性
3-STATE
内存宽度
9
待机电流-最大值
0.18 A
记忆密度
589824 bit
筛选水平
MIL-STD-883 Class B (Modified)
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
SEPARATE
内存IC类型
SRAM MODULE
待机电压-最小值
4.5 V
IDT7M912S100CB拓展信息
IDT
IDT
IDT
IDT
IDT
IDT
IDT
IDT
IDT
IDT







哦! 它是空的。