Integrated Device Technology Inc IDT8M824S45CB

表面安装

NO

终端数量

32

Operating Temperature-Max

125 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Code

DIP

Package Equivalence Code

DIP32,.6

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

微电子组件

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Number of Words Code

128000

Number of Words

131072 words

Access Time-Max

45 ns

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Part Life Cycle Code

Obsolete

Rohs Code

无

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

3A001.A.2.C

端子表面处理

锡铅

附加功能

TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS

HTS代码

8542.32.00.41

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-CDMA-T32

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.265 mA

组织结构

128KX8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.08 A

记忆密度

1048576 bit

筛选水平

38535Q/M;38534H;883B

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

SRAM MODULE

待机电压-最小值

4.5 V