IS61NVVP25672-250B
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Integrated Silicon Solution Inc IS61NVVP25672-250B

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型号

IS61NVVP25672-250B

utmel 编号

2261-IS61NVVP25672-250B

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

ZBT SRAM, 256KX72, 2.6ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-209

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IS61NVVP25672-250B Integrated Silicon Solution Inc ZBT SRAM, 256KX72, 2.6ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-209

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IS61NVVP25672-250B详情

Integrated Silicon Solution Inc IS61NVVP25672-250B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    209

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

  • Part Package Code

    BGA

  • Package Description

    14 X 22 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-209

  • Access Time-Max

    2.6 ns

  • Number of Words

    262144 words

  • Number of Words Code

    256000

  • Operating Temperature-Max

    70 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Code

    BGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    网格排列

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.8 V

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    3A991.B.2.A

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 附加功能

    流水线结构

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    209

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B209

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.89 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.71 V

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 组织结构

    256KX72

  • 座位高度-最大

    1.75 mm

  • 内存宽度

    72

  • 记忆密度

    18874368 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • 内存IC类型

    ZBT SRAM

  • 长度

    22 mm

  • 宽度

    14 mm

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技术文档: Integrated Silicon Solution Inc IS61NVVP25672-250B.

IS61NVVP25672-250B拓展信息

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