Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS25LP256D-JHLE

工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

TFBGA-24

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

24

供应商器件包装

24-TFBGA (6x8)

终端数量

24

RoHS

Details

Mounting Styles

SMD/SMT

Supply Voltage-Min

2.3 V

Active Read Current - Max

30 mA

Interface Type

QPI, SPI

Maximum Clock Frequency

166 MHz

Timing Type

Synchronous

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 105 C

Moisture Sensitive

有

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

480

Supplier Package

TFBGA

Typical Operating Supply Voltage

2.5, 3.3 V

Minimum Operating Supply Voltage

2.3 V

Block Organization

Symmetrical

Number of Words

32 MWords

Maximum Operating Supply Voltage

3.6 V

Cell Type

NOR

Mounting

表面贴装

Package

Bulk

厂商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Product Status

活跃

Memory Types

Non-Volatile

Supply Voltage-Max

3.6 V

Package Description

TBGA,

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE

Number of Words Code

32000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

105 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IS25LP256D-JHLE

Clock Frequency-Max (fCLK)

133 MHz

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

Package Code

TBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

NOR Flash 256Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS,

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Risk Rank

2.27

系列

IS25LP256D

操作温度

-40 to 105 °C

技术

FLASH - NOR (SLC)

电压 - 供电

2.3V ~ 3.6V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B24

温度等级

INDUSTRIAL

内存大小

256 Mbit

速度

166 MHz

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

166 MHz

电源电流-最大值

30 mA

内存格式

FLASH

内存接口

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

建筑学

Sectored

数据总线宽度

8 bit

组织结构

32 M x 8

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

40µs, 800µs

密度

256 Mbit

记忆密度

268435456 bit

筛选水平

Extended

并行/串行

SERIAL

内存IC类型

FLASH

编程电压

2.3, 3.6 V

电压 - 供电 （最大值）

3.6 V

电压 - 供电 （最小值）

2.3 V

引导模块

有

组织的记忆

32M x 8

宽度

6 mm

长度

8 mm