Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS43DR16320E-3DBL-TR

工厂交货时间

6 Weeks

包装/外壳

BGA-84

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

84-TWBGA (8x12.5)

终端数量

84

RoHS

Details

Mounting Styles

SMD/SMT

Maximum Clock Frequency

333 MHz

Supply Voltage-Min

1.7 V

Minimum Operating Temperature

0 C

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Moisture Sensitive

有

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2500

Maximum Clock Rate

333 MHz

Supplier Package

TWBGA

Number of I/O Lines

16 Bit

Mounting

表面贴装

Package

Tape & Reel (TR)

厂商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Supply Voltage-Max

1.9 V

Package Description

TFBGA,

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

Number of Words Code

32000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

0.45 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IS43DR16320E-3DBL-TR

Number of Words

33554432 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

TFBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Risk Rank

5.62

Usage Level

Commercial grade

系列

IS43DR16320E

包装

Reel

操作温度

0 to 85 °C

类型

SDRAM - DDR2

附加功能

AUTO/SELF REFRESH

技术

SDRAM - DDR2

电压 - 供电

1.7V ~ 1.9V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

84

JESD-30代码

R-PBGA-B84

工作电源电压

5 V

电源电压-最大值(Vsup)

1.9 V

温度等级

OTHER

电源电压-最小值(Vsup)

1.7 V

内存大小

512 Mbit

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

333 MHz

电源电流-最大值

85 mA

访问时间

450 ps

内存格式

DRAM

内存接口

SSTL_18

数据总线宽度

16 bit

组织结构

32 M x 16

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

15ns

地址总线宽度

13 Bit

密度

512 Mbit

记忆密度

536870912 bit

筛选水平

Commercial

内存IC类型

DDR DRAM

访问模式

四库页面突发

自我刷新

YES

库存数量

4

组织的记忆

32M x 16

宽度

8 mm

长度

12.5 mm