Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS43DR16640A-25EBLI
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IS43DR16640A-25EBLI
1266-IS43DR16640A-25EBLI
存储器连接器 - 配件
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DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64M x 16 1.8V 84-Pin TWBGA
--最小包装量--
IS43DR16640A-25EBLI详情
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS43DR16640A-25EBLI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
14 Weeks
表面安装
YES
终端数量
84
Manufacturer Part Number
IS43DR16640A-25EBLI
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Part Package Code
DSBGA
Package Description
TFBGA, BGA84,9X15,32
Risk Rank
5.2
Access Time-Max
0.4 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
400 MHz
Number of Words
67108864 words
Number of Words Code
64000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TFBGA
Package Equivalence Code
BGA84,9X15,32
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Reflow Temperature-Max (s)
40
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.32
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
84
JESD-30代码
R-PBGA-B84
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
1.8 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.36 mA
组织结构
64MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.015 A
记忆密度
1073741824 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
4,8
交错突发长度
4,8
访问模式
多库页面突发
自我刷新
YES
长度
13.65 mm
宽度
8 mm
IS43DR16640A-25EBLI拓展信息
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
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