Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS46DR16640A-25EBLA1-TR
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IS46DR16640A-25EBLA1-TR
1266-IS46DR16640A-25EBLA1-TR
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AUTOMOTIVE (TC: -40 TO 95C),1G, 1.8V, DDR2, 64MX16, 400MHZ
1最小包装量--
IS46DR16640A-25EBLA1-TR详情
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS46DR16640A-25EBLA1-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
84
Manufacturer Part Number
IS46DR16640A-25EBLA1-TR
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Package Description
TFBGA, BGA84,9X15,32
Risk Rank
5.69
Access Time-Max
0.4 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
400 MHz
Number of Words
67108864 words
Number of Words Code
64000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TFBGA
Package Equivalence Code
BGA84,9X15,32
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
RoHS
Compliant
Usage Level
Automotive grade
最高工作温度
95 °C
最小工作温度
-40 °C
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B84
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
1.8 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
最大电源电压
1.9 V
最小电源电压
1.7 V
内存大小
128 MB
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.36 mA
访问时间
400 ps
数据总线宽度
16 b
组织结构
64MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.015 A
记忆密度
1073741824 bit
最高频率
400 MHz
筛选水平
AEC-Q100
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
4,8
交错突发长度
4,8
访问模式
多库页面突发
自我刷新
YES
长度
13.65 mm
宽度
8 mm
IS46DR16640A-25EBLA1-TR拓展信息
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
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