Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS43LR32800H-6BL

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

BGA-90

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

90-TFBGA (8x13)

终端数量

90

Maximum Clock Frequency

166 MHz

Mounting Styles

SMD/SMT

RoHS

Details

Supply Voltage-Min

1.7 V

Minimum Operating Temperature

0 C

Maximum Operating Temperature

+ 70 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

240

Package

Bulk

厂商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Supply Voltage-Max

1.95 V

Package Description

TFBGA,

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

8000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

10

Access Time-Max

5.5 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IS43LR32800H-6BL

Number of Words

8388608 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

TFBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Risk Rank

5.68

系列

IS43LR16160H

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

JESD-609代码

e1

ECCN 代码

EAR99

类型

SDRAM Mobile - DDR

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

AUTO/SELF REFRESH

技术

SDRAM - Mobile LPDDR

电压 - 供电

1.7V ~ 1.95V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B90

温度等级

COMMERCIAL

内存大小

256 Mbit

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

166 MHz

电源电流-最大值

55 mA

访问时间

6 ns

内存格式

DRAM

内存接口

LVCMOS

数据总线宽度

32 bit

组织结构

8 M x 32

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

32

写入周期时间 - 字符、页面

15ns

记忆密度

268435456 bit

内存IC类型

DDR DRAM

电压 - 供电 （最大值）

1.95 V

电压 - 供电 （最小值）

1.7 V

访问模式

四库页面突发

自我刷新

YES

组织的记忆

8M x 32

宽度

8 mm

长度

13 mm