Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS43R16320E-5TL

工厂交货时间

8 Weeks

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)

供应商器件包装

66-TSOP II

终端数量

66

Manufacturer Part Number

IS43R16320E-5TL

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Package Description

TSOP2,

Risk Rank

2.16

Access Time-Max

0.7 ns

Number of Words

33554432 words

Number of Words Code

32000000

Operating Temperature-Max

70 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Code

TSOP2

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package

Bulk

厂商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Schedule B

8542320015

RoHS

Compliant

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

200 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 70 C

Supply Voltage-Max

2.7 V

Minimum Operating Temperature

0 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

108

Supply Voltage-Min

2.3 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Brand

ISSI

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

-

类型

SDRAM - DDR

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

0 °C

附加功能

PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH

子类别

Memory & Data Storage

电压 - 供电

2.3V ~ 2.7V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.65 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G66

电源电压-最大值(Vsup)

2.7 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.3 V

内存大小

512Mbit

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

200 MHz

电源电流-最大值

140 mA

访问时间

700 ps

内存格式

DRAM

内存接口

SSTL_2

数据总线宽度

16 bit

组织结构

32MX16

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

15ns

地址总线宽度

13 b

产品类别

DRAM

密度

512 Mb

记忆密度

536870912 bit

最高频率

200 MHz

内存IC类型

DDR DRAM

访问模式

四库页面突发

自我刷新

YES

产品类别

DRAM

组织的记忆

32M x 16

长度

22.22 mm

宽度

10.16 mm