Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS43TR16640ED-125KBLI-TR

工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

FBGA-96

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

96-TWBGA (9x13)

终端数量

96

RoHS

Details

Mounting Styles

SMD/SMT

Maximum Clock Frequency

800 MHz

Supply Voltage-Min

1.425 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 95 C

Moisture Sensitive

有

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1500

Package

Tape & Reel (TR)

厂商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Supply Voltage-Max

1.575 V

Package Description

TFBGA,

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

Number of Words Code

64000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IS43TR16640ED-125KBLI-TR

Number of Words

67108864 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.5 V

Package Code

TFBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Risk Rank

5.29

系列

IS43TR16640ED

包装

MouseReel

操作温度

-40°C ~ 95°C (TC)

类型

SDRAM - DDR3

附加功能

AUTO/SELF REFRESH

技术

SDRAM - DDR3

电压 - 供电

1.425V ~ 1.575V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B96

电源电压-最大值(Vsup)

1.575 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

1.425 V

内存大小

1 Gbit

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

800 MHz

电源电流-最大值

195 mA

访问时间

20 ns

内存格式

DRAM

内存接口

Parallel

数据总线宽度

16 bit

组织结构

64 M x 16

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

15ns

记忆密度

1073741824 bit

内存IC类型

DDR DRAM

访问模式

多库页面突发

自我刷新

YES

组织的记忆

64M x 16

宽度

9 mm

长度

13 mm