Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS43TR82560CL-125KBL

工厂交货时间

10 Weeks

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

78-TFBGA

供应商器件包装

78-TWBGA (8x10.5)

终端数量

78

Manufacturer Part Number

IS43TR82560CL-125KBL

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Package Description

TFBGA,

Risk Rank

5.6

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words

268435456 words

Number of Words Code

256000000

Operating Temperature-Max

85 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Code

TFBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.35 V

Reflow Temperature-Max (s)

10

Maximum Clock Rate

800 MHz

Supplier Package

TWBGA

Number of I/O Lines

8 Bit

Mounting

表面贴装

Package

Bulk

厂商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Moisture Sensitive

有

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

242

Mounting Styles

SMD/SMT

Brand

ISSI

RoHS

Details

Usage Level

Commercial grade

操作温度

0 to 95 °C

系列

-

包装

Reel

JESD-609代码

e1

ECCN 代码

EAR99

类型

DDR3L SDRAM

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH

子类别

Memory & Data Storage

电压 - 供电

1.283V ~ 1.45V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

78

JESD-30代码

R-PBGA-B78

工作电源电压

1.3500 V

电源电压-最大值(Vsup)

1.45 V

温度等级

OTHER

电源电压-最小值(Vsup)

1.283 V

内存大小

2Gbit

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

800 MHz

访问时间

20 ns

内存格式

DRAM

内存接口

Parallel

数据总线宽度

8 Bit

组织结构

256MX8

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

15ns

地址总线宽度

15 Bit

产品类别

DRAM

密度

2 Gbit

记忆密度

2147483648 bit

筛选水平

Commercial

内存IC类型

DDR DRAM

访问模式

多库页面突发

自我刷新

YES

产品类别

DRAM

库存数量

8

组织的记忆

256M x 8

长度

10.5 mm

宽度

8 mm