Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS46DR16128B-3DBLA2
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IS46DR16128B-3DBLA2
1266-IS46DR16128B-3DBLA2
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DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.8V Automotive 84-Pin TW-BGA
1最小包装量--
IS46DR16128B-3DBLA2详情
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS46DR16128B-3DBLA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
84
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Equivalence Code
BGA84,9X15,32
Package Code
TFBGA
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Operating Temperature-Max
105 °C
Number of Words Code
128000000
Number of Words
134217728 words
Clock Frequency-Max (fCLK)
333 MHz
Access Time-Max
0.45 ns
Risk Rank
5.69
Package Description
TFBGA, BGA84,9X15,32
Part Package Code
BGA
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Part Life Cycle Code
不推荐
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
IS46DR16128B-3DBLA2
Usage Level
Automotive grade
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.36
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
84
JESD-30代码
R-PBGA-B84
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
1.8 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.485 mA
组织结构
128MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.03 A
记忆密度
2147483648 bit
筛选水平
AEC-Q100
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
4,8
交错突发长度
4,8
访问模式
多库页面突发
自我刷新
YES
宽度
10.5 mm
长度
13.5 mm
IS46DR16128B-3DBLA2拓展信息
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
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