Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS46DR16640A-3DBLA2

表面安装

YES

底架

表面贴装

引脚数

84

终端数量

84

Manufacturer Part Number

IS46DR16640A-3DBLA2

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Part Package Code

DSBGA

Package Description

TFBGA, BGA84,9X15,32

Risk Rank

5.5

Access Time-Max

0.4 ns

Clock Frequency-Max (fCLK)

333 MHz

Number of Words

67108864 words

Number of Words Code

64000000

Operating Temperature-Max

85 °C

Operating Temperature-Min

-40 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Code

TFBGA

Package Equivalence Code

BGA84,9X15,32

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

RoHS

Compliant

Usage Level

Automotive grade

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

105 °C

最小工作温度

-40 °C

附加功能

AUTO/SELF REFRESH

HTS代码

8542.32.00.32

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

84

JESD-30代码

R-PBGA-B84

资历状况

不合格

工作电源电压

1.8 V

电源电压-最大值(Vsup)

1.9 V

电源

1.8 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

1.7 V

最大电源电压

1.9 V

最小电源电压

1.7 V

内存大小

128 MB

端口的数量

1

电源电流

260 mA

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.35 mA

访问时间

450 ps

数据总线宽度

16 b

组织结构

64MX16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

地址总线宽度

16 b

密度

1 Gb

待机电流-最大值

0.015 A

记忆密度

1073741824 bit

最高频率

667 MHz

筛选水平

AEC-Q100

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

刷新周期

8192

顺序突发长度

4,8

交错突发长度

4,8

访问模式

多库页面突发

自我刷新

YES

长度

13.65 mm

宽度

8 mm

辐射硬化

无