IS49NLS18320A-18WBL
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Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS49NLS18320A-18WBL

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型号

IS49NLS18320A-18WBL

utmel 编号

1266-IS49NLS18320A-18WBL

商品类别

存储器

封装

WBGA-144

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O,533MHz, tRC=15ns, RoHS

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IS49NLS18320A-18WBL
IS49NLS18320A-18WBL Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O,533MHz, tRC=15ns, RoHS

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IS49NLS18320A-18WBL详情

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS49NLS18320A-18WBL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 包装/外壳

    WBGA-144

  • 安装类型

    表面贴装

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    144-TWBGA (11x18.5)

  • 终端数量

    144

  • RoHS

    Details

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Maximum Clock Frequency

    533 MHz

  • Supply Voltage-Min

    1.7 V

  • Minimum Operating Temperature

    0 C

  • Maximum Operating Temperature

    + 95 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    104

  • Tradename

    RLDRAM2

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • Product Status

    活跃

  • Memory Types

    Volatile

  • Supply Voltage-Max

    2.63 V

  • Risk Rank

    5.66

  • Ihs Manufacturer

    INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Code

    TBGA

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.8 V

  • Number of Words

    33554432 words

  • Manufacturer Part Number

    IS49NLS18320A-18WBL

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Number of Words Code

    32000000

  • Package Style

    GRID ARRAY, THIN PROFILE

  • Package Description

    TBGA,

  • 系列

    IS49NLS18320A

  • 操作温度

    0°C ~ 95°C (TC)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    RLDRAM2

  • 附加功能

    自动刷新

  • 技术

    RLDRAM 2

  • 电压 - 供电

    1.7V ~ 1.9V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B144

  • 内存大小

    576 Mbit

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 时钟频率

    533 MHz

  • 电源电流-最大值

    545 mA

  • 访问时间

    15 ns

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    HSTL

  • 数据总线宽度

    18 bit

  • 组织结构

    32 M x 18

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    18

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    -

  • 记忆密度

    603979776 bit

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 电压 - 供电 (最大值)

    1.9 V

  • 电压 - 供电 (最小值)

    1.7 V

  • 访问模式

    多库页面突发

  • 组织的记忆

    32M x 18

  • 长度

    18.5 mm

  • 宽度

    11 mm

0个相似型号

IS49NLS18320A-18WBL拓展信息

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