Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS61DDB24M18-300M3L

表面安装

YES

引脚数

165

终端数量

165

Manufacturer Part Number

IS61DDB24M18-300M3L

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Part Package Code

BGA

Package Description

LBGA, BGA165,11X15,40

Risk Rank

5.66

Access Time-Max

0.35 ns

Clock Frequency-Max (fCLK)

300 MHz

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words

4194304 words

Number of Words Code

4000000

Operating Temperature-Max

70 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Code

LBGA

Package Equivalence Code

BGA165,11X15,40

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Reflow Temperature-Max (s)

10

RoHS

Compliant

Memory Types

DDR

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

0 °C

附加功能

流水线结构

HTS代码

8542.32.00.41

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

165

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

不合格

工作电源电压

1.8 V

电源电压-最大值(Vsup)

1.89 V

电源

1.5/1.8,1.8 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

1.71 V

界面

Parallel

最大电源电压

1.89 V

最小电源电压

1.71 V

内存大小

9 MB

端口的数量

2

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.6 mA

访问时间

350 ps

组织结构

4MX18

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.4 mm

内存宽度

18

地址总线宽度

21 b

密度

72 Mb

记忆密度

75497472 bit

最高频率

300 MHz

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR SRAM

待机电压-最小值

1.7 V

长度

17 mm

宽度

15 mm

辐射硬化

无