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IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TR
IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TR

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Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TR

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型号

IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TR

品牌

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)

utmel 编号

1266-IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TR

商品类别

存储器

封装

BGA-48

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp

起订量

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IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TR
IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TR Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp

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IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TR详情

技术参数

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TR重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 包装/外壳

    BGA-48

  • 安装类型

    表面贴装

  • 供应商器件包装

    48-TFBGA (6x8)

  • Interface Type

    Serial

  • Supply Voltage-Min

    2.4 V

  • Minimum Operating Temperature

    - 40 C

  • Maximum Operating Temperature

    + 125 C

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Memory Types

    SRAM

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    2500

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • 厂商

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • Product Status

    活跃

  • Supply Voltage-Max

    3.6 V

  • 操作温度

    -40°C ~ 125°C (TA)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q100

  • 类型

    Asynchronous

  • 技术

    SRAM - Asynchronous

  • 电压 - 供电

    2.4V ~ 3.6V

  • 内存大小

    8 Mbit

  • 电源电流-最大值

    110 mA, 135 mA

  • 访问时间

    10 ns

  • 内存格式

    SRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    512 k x 16

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    10ns

  • 组织的记忆

    512K x 16

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ISO13485
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SMTA
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