Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS64WV51216EEBLL-10CTLA3

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

TSOP-44

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

44-TSOP II

终端数量

44

RoHS

Details

Interface Type

Parallel

Supply Voltage-Min

2.4 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 125 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Memory Types

SRAM

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

135

Package

Tray

厂商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Product Status

活跃

Supply Voltage-Max

3.6 V

Package Description

TSOP2,

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Number of Words Code

512000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

10 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IS64WV51216EEBLL-10CTLA3

Number of Words

524288 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

Package Code

TSOP2

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Risk Rank

5.75

包装

Tray

系列

IS64WV51216EEBLL

操作温度

-40°C ~ 125°C (TA)

类型

Asynchronous

HTS代码

8542.32.00.41

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

2.4V ~ 3.6V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G44

温度等级

AUTOMOTIVE

内存大小

8 Mbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

135 mA

访问时间

10 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

512 k x 16

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

10ns

记忆密度

8388608 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

标准SRAM

电压 - 供电 （最大值）

3.6 V

电压 - 供电 （最小值）

2.4 V

组织的记忆

512K x 16

宽度

10.16 mm

长度

18.41 mm