Intel D2114A4

安装类型

通孔

包装/外壳

18-CDIP

表面安装

NO

供应商器件包装

18-CDIP

终端数量

18

Package

Bulk

厂商

Intel

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

DIP, DIP18,.3

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

1000

Package Body Material

CERAMIC

Package Equivalence Code

DIP18,.3

Access Time-Max

200 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

D2114A-4

Number of Words

1024 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Intel Corporation

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTEL CORP

Risk Rank

8.74

操作温度

-55°C ~ 125°C (TC)

系列

-

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

SRAMs

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

4.5V ~ 5.5V

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-XDIP-T18

资历状况

不合格

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

内存大小

4Kbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

访问时间

200 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

1KX4

输出特性

3-STATE

内存宽度

4

写入周期时间 - 字符、页面

200ns

记忆密度

4096 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

组织的记忆

1K x 4