EMBATMSCHCBDVK详情
Intel EMBATMSCHCBDVK重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件包装
8-DFN-EP (3x3)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9A (Ta), 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)
1.7W (Ta), 25W (Tc)
RoHS
Compliant
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
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零件状态
最后一次购买
技术
MOSFET (Metal Oxide)
比特数
64
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
12 mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
910pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
评估套件
有
场效应管特性
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EMBATMSCHCBDVK拓展信息
Intel
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