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技术文档
型号
GE28F640W30BD70
品牌
Intel
utmel 编号
1234-GE28F640W30BD70
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
GE28F640W30BD70 datasheet pdf and Unclassified product details from Intel stock available at utmel
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GE28F640W30BD70详情
技术参数
Intel GE28F640W30BD70重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
56
RoHS
Non-Compliant
Package Description
VFBGA, BGA56,7X8,30
Package Style
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
Part Package Code
BGA
Risk Rank
5.23
Ihs Manufacturer
NUMONYX
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
Numonyx内存解决方案
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
VFBGA
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Number of Words
4194304 words
Manufacturer Part Number
Rohs Code
无
Operating Temperature-Max
85 °C
Access Time-Max
70 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Equivalence Code
BGA56,7X8,30
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
4000000
Moisture Sensitivity Levels
1
ECCN 代码
3A991.B.1.A
类型
NOR型号
附加功能
可进行同步突发模式操作
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
端子间距
0.75 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PBGA-B56
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
1.8,3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.04 mA
组织结构
4MX16
座位高度-最大
1 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.000005 A
记忆密度
67108864 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
数据轮询
NO
拨动位
命令用户界面
扇区/尺寸数
8,127
行业规模
4K,32K
页面尺寸
4 words
引导模块
通用闪存接口
宽度
7.7 mm
长度
9 mm
GE28F640W30BD70拓展信息
公司资质
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