HIP6601ECB-T
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Intel HIP6601ECB-T

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型号

HIP6601ECB-T

品牌

Intel

utmel 编号

1234-HIP6601ECB-T

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Half Bridge Based Mosfet Driver, 0.73A, Mos, PDSO8

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HIP6601ECB-T
HIP6601ECB-T Intel Half Bridge Based Mosfet Driver, 0.73A, Mos, PDSO8

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HIP6601ECB-T详情

Intel HIP6601ECB-T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    8

  • Manufacturer Part Number

    HIP6601ECB-T

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS INC

  • Part Package Code

    SOIC

  • Package Description

    HLSOP,

  • Risk Rank

    5.75

  • Moisture Sensitivity Levels

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Code

    HLSOP

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, LOW PROFILE

  • Supply Voltage-Max

    12 V

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Supply Voltage-Min

    5 V

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1.27 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 温度等级

    OTHER

  • 座位高度-最大

    1.68 mm

  • 接口IC类型

    基于半桥的mosfet驱动器

  • 输出峰值电流限制-名

    0.73 A

  • 电源电压1-额定值

    12 V

  • 高边驱动器

    YES

  • 电源电压1-最小值

    10.8 V

  • 电源电压1-最大值

    13.2 V

  • 长度

    4.89 mm

  • 宽度

    3.9 mm

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HIP6601ECB-T拓展信息

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