MD2114L3/B详情
Intel MD2114L3/B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
18
Manufacturer Part Number
MD2114L3/B
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
GENERAL ELECTRIC SOLID STATE
Package Description
DIP, DIP18,.3
Risk Rank
5.91
Access Time-Max
300 ns
Number of Words
1024 words
Number of Words Code
1000
Operating Temperature-Max
125 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
CERAMIC
Package Code
DIP
Package Equivalence Code
DIP18,.3
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
RoHS
Non-Compliant
Usage Level
Military grade
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-XDIP-T18
资历状况
不合格
电源
5 V
温度等级
MILITARY
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
1KX4
输出特性
3-STATE
内存宽度
4
记忆密度
4096 bit
筛选水平
38535Q/M;38534H;883B
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
MD2114L3/B拓展信息
Intel
Intel
Intel
Intel
Intel
Intel
Intel
Intel
Intel
Intel








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