MD2118-4/B详情
Intel MD2118-4/B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
16
RoHS
Non-Compliant
Package Description
DIP, DIP16,.3
Package Style
IN-LINE
Number of Words Code
16000
Package Body Material
CERAMIC
Package Equivalence Code
DIP16,.3
Operating Temperature-Min
-55 °C
Access Time-Max
120 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MD2118-4/B
Number of Words
16384 words
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Intel Corporation
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEL CORP
Risk Rank
5.88
Usage Level
Military grade
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
DRAMs
技术
MOS
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-XDIP-T16
资历状况
不合格
温度等级
MILITARY
电源电流-最大值
0.025 mA
组织结构
16KX1
输出特性
3-STATE
内存宽度
1
记忆密度
16384 bit
筛选水平
38535Q/M;38534H;883B
I/O类型
SEPARATE
内存IC类型
DRAM 模式页面
刷新周期
128
MD2118-4/B拓展信息








哦! 它是空的。