International Rectifier IRF5305STRLPBF
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IRF5305STRLPBF
1240-IRF5305STRLPBF
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Description: Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
1最小包装量--
IRF5305STRLPBF详情
International Rectifier IRF5305STRLPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
材料
aluminium
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of heatsink
extruded
Heatsink shape
U
Colour
aluminium
Material finishing
raw
Mounting
for back plate
Internal width
13.3mm
Gross weight
700 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Package Description
LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
Drain Current-Max (ID)
31 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.06 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
110 A
DS 击穿电压-最小值
55 V
雪崩能量等级(Eas)
280 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
110 W
第二个连接器加载的位置数
LED
饱和电流
1
长度
0.1m
宽度
26.5mm
高度
19mm
IRF5305STRLPBF拓展信息
International Rectifier
WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.
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