International Rectifier IRF640NSTRL
- 收藏
- 对比
IRF640NSTRL
1240-IRF640NSTRL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
大陆
立即发货

Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-2/3
1最小包装量--
IRF640NSTRL详情
International Rectifier IRF640NSTRL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
PLASTIC, D2PAK-2/3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IRF640NSTRL
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
7.6
Part Package Code
D2PAK
Drain Current-Max (ID)
18 A
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-263AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
18 A
漏极-源极导通最大电阻
0.15 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
72 A
DS 击穿电压-最小值
200 V
雪崩能量等级(Eas)
247 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
150 W
IRF640NSTRL拓展信息
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier







哦! 它是空的。