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'irf5210strl'

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category.单MOSFET晶体管 (4)

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对比	图片	产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	Rohs	工厂交货时间	触点镀层	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量	晶体管元件材料																						Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id	操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	终端	ECCN 代码	电阻	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	电压 - 额定直流	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	额定电流	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	资历状况	配置	通道数量	元素配置	操作模式	功率耗散	箱体转运	接通延迟时间	场效应管类型	晶体管应用	Rds On(Max)@Id,Vgs	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs	上升时间	Vgs（最大值）	极性/通道类型	下降时间（典型值）	连续放电电流(ID)	阈值电压	JEDEC-95代码	栅极至源极电压(Vgs)	最大漏极电流 (Abs) (ID)	漏极-源极导通最大电阻	漏源击穿电压	脉冲漏极电流-最大值(IDM)	双电源电压	DS 击穿电压-最小值	雪崩能量等级（Eas）	场效应管技术	最大耗散功率(Abs)	恢复时间	最大结点温度（Tj）	栅源电压	高度	长度	宽度	辐射硬化	达到SVHC	RoHS状态	无铅
		IRF5210STRL	International Rectifier	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			YES	3	2	SILICON	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	-55 °C	30	175 °C	无	IRF5210STRL	RECTANGULAR	International Rectifier	1	Obsolete	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	7.55	D2PAK	38 A										e0	无					EAR99		Tin/Lead (Sn/Pb)	HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE	8541.29.00.95	其他晶体管		SINGLE	鸥翼	225			R-PSSO-G2	不合格	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE			增强型MOSFET		DRAIN			SWITCHING						P-CHANNEL				TO-263AB		40 A	0.06 Ω		140 A		100 V	120 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	200 W								compliant
		IRF5210STRLHR	International Rectifier	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
		IRF5210STRLPBF	Vishay	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
		IRF5210STRLPBF	Infineon Technologies	数据表	669 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		12 Weeks	Tin	表面贴装	表面贴装	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	3	SILICON	38A Tc	10V	1	3.1W Ta 170W Tc	72 ns			4V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	1998	HEXFET®	e3		活跃	1 (Unlimited)	2	SMD/SMT	EAR99	60mOhm		HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE			-100V		鸥翼	260	-40A	30	R-PSSO-G2			1	Single	增强型MOSFET	3.8W	DRAIN	14 ns	P-Channel	SWITCHING	60m Ω @ 38A, 10V	2780pF @ 25V	230nC @ 10V	63ns	±20V		55 ns	-40A	-4V		20V			-100V		100V					260 ns	150°C	-4 V	4.83mm	10.668mm	9.65mm	无	无SVHC	ROHS3 Compliant	含铅