International Rectifier IRF5210STRL
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IRF5210STRL
1240-IRF5210STRL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3
1最小包装量--
IRF5210STRL详情
International Rectifier IRF5210STRL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IRF5210STRL
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
7.55
Part Package Code
D2PAK
Drain Current-Max (ID)
38 A
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-263AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
40 A
漏极-源极导通最大电阻
0.06 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
140 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
120 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
200 W
IRF5210STRL拓展信息
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