International Rectifier IRF7853PBF
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IRF7853PBF
1240-IRF7853PBF
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, LEAD FREE, SO-8
1最小包装量--
IRF7853PBF详情
International Rectifier IRF7853PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of integrated circuit
interface
Kind of integrated circuit
digital isolator
Data transfer rate
150Mbps
Mounting
SMD
Case
SOW16
Insulation voltage
5kV
Kind of channel
unidirectional
Gross weight
1 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Part Package Code
SOIC
Package Description
LEAD FREE, SO-8
Drain Current-Max (ID)
8.3 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Operating temperature
-40...125°C
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Number of channels
4
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
Number of inputs
4/0
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
MS-012AA
漏极-源极导通最大电阻
0.018 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
66 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
610 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2.5 W
饱和电流
1
IRF7853PBF拓展信息
International Rectifier
WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.
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