International Rectifier IRF9Z34N

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRF9Z34N

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

International Rectifier

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Samacsys Description

IRF9Z34N, P-Channel MOSFET Transistor 19A 55V, 3-Pin TO-220AB

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Risk Rank

3.61

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

19 A

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

其他晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

17 A

漏极-源极导通最大电阻

0.1 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

68 A

DS 击穿电压-最小值

55 V

雪崩能量等级（Eas）

180 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

56 W