IRFH8325TRPBF
IRFH8325TRPBF

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

International Rectifier IRFH8325TRPBF

  • 收藏
  • 对比

型号

IRFH8325TRPBF

utmel 编号

1240-IRFH8325TRPBF

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-8

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
IRFH8325TRPBF
IRFH8325TRPBF International Rectifier Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-8

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

IRFH8325TRPBF详情

International Rectifier IRFH8325TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 质量

    0.47

  • 终端数量

    5

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Transport packaging size/quantity

    48*45*19/20000

  • Trip temperature

    holding - 85 °C

  • Ambient temperature during operation

    maximum - 180 (during brief exposure) °C

  • Noal voltage

    250 (AC) Vmin

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

  • Part Package Code

    QFN

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5

  • Drain Current-Max (ID)

    21 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 深度

    housing - 8 ± 0.5; with leads - 70 ± 3 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    R-PDSO-F5

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Fuse type

    thermo fuse in DIP package

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • Rated current

    3 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.005 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    100 A

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    94 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    54 W

  • 饱和电流

    1

  • 高度

    2.6 ± 0.5 mm

  • 宽度

    6.6 ± 0.5 mm

  • 直径

    lead - 0.6 mm

0个相似型号

技术文档: International Rectifier IRFH8325TRPBF.

IRFH8325TRPBF拓展信息

IRFR3504
IRFR3504

International Rectifier

BD137-16
BD137-16

WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.

IRFH7932TRPBF
IRFH7932TRPBF

International Rectifier

IRF7343TRPBF
IRF7343TRPBF

International Rectifier

IRFS3207ZTRLPBF
IRFS3207ZTRLPBF

International Rectifier

IRL3713STRLPBF
IRL3713STRLPBF

International Rectifier

IRF7101TRPBF
IRF7101TRPBF

International Rectifier

IRF7807VD1TRPBF
IRF7807VD1TRPBF

International Rectifier

IRLML5203GTRPBF
IRLML5203GTRPBF

International Rectifier

IRFB3407ZPBF
IRFB3407ZPBF

International Rectifier

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z